面试基本电子亚博最新官网网址问题

亚博最新官网网址电子工程专业的学生无论是在准备面试还是在准备口头发言,都需要面对一些基本的电子问题。因此,本文将为您提供一些面试和其他竞争考试的基本电子问题。亚博最新官网网址

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最初,我将主要集中在多项选择类型的问题,在未来,我将添加解释和一些简短回答类型的问题。

基本介绍问题

1.什么是理想的电压源?
回答:具有零内阻的装置。

2.理想的电流源是什么?
回答:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用电压源?
回答:内阻小的装置。

4.什么是实际的电流源?
回答:具有大内阻的装置。

5.从一个理想电压源输出的电压为
A.零
b常数
C.依赖于负载
D.依赖于内部抵抗
回答:B.

6.从理想电流源输出的电流为
A.零
b常数
C.依赖于负载
D.依赖于内部抵抗
回答:B.

7.电流通过的两点之间的路径被称为
A.网络
b .中继
C.一个电路
D.一个循环
回答:C

8.根据欧姆定律,电流的公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
回答:一种

9.电阻的单位为
A. VOLT.
B. AMP.
C.欧姆
D.库仑
回答:C

10.在恒定电压DC电路中,当电阻增加时,电流将
答:减少
B.停止
C.增加
D.仍然是恒定的
回答:一种

基本半导体理论问题

1.硅原子中的价电子数量是
A. 1
B. 4.
C. 8.
d . 16
回答:B.

2.最常用的半导体元件是
答:硅
B.锗
C.镓
d .碳
回答:一种

3.铜是一种
A.绝缘体
B.指挥
C.半导体
d .超导体
回答:B.

4.硅原子原子核中的质子数是
A. 4.
B. 14.
c . 29
d . 32
回答:B.

5.导体的价电子又称为
A.绑定电子
B.自由电子
c核
D.质子
回答:B.

6.室温下的内在半导体具有
一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
回答:一种

7.在室温下,本征半导体由于其中有一些孔
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
D.价电子
回答:C

8.内在半导体中的孔数是
A.等于自由电子数量
B.大于自由电子数
C.少于自由电子的数量
D.以上都不是
回答:一种

9.孔充当
A.原子
B.晶体
c .负电荷
D.积极指控
回答:D.

10.在集团中挑选奇怪的一个
答:导体
b .半导体
C.四价电子
d .晶体结构
回答:一种

11.如果要生产p型半导体,还需要补充
A.三价杂质
B.碳
C.五价杂质
D. Silicon.
回答:一种

12.电子是少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
C.内在半导体
D. n型半导体
回答:D.

13.一种p型半导体包含
空穴和负离子
B.空穴和正离子
C.孔和五价原子
空穴和施主原子
回答:一种

14.五边形原子有多少电子?
A. 1
B. 3.
C. 4.
D. 5.
回答:D.

15.负离子是
a .获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.失去电子的原子
回答:C

16.潜在屏障两侧的PN结中电离的结果是什么?
答:障碍电压
b .结
C.耗尽区
D.正向电压
回答:C

17.“损耗区”的成因是__________
答:扩散
b离子
C.兴奋剂
D.正向电压
回答:一种

18.以下哪项是半导体?
答:氩
B.碳
C.云母
D.陶瓷
回答:B.

19.以下掺杂材料是
a . n型半导体
B.多数载体
非本征半导体材料
D.五价材料
回答:D.

我们可以轻松激活少数竞争因素使用
答:正向电压
B.兴奋剂
欺骗
d .的压力
回答:C

基本半导体二极管问题

1.耗尽层是由
答:掺杂
B.重组
C.障碍潜力
d .离子
回答:B.

2.二极管中的反向电流通常是
答:非常小
B.非常大
C.零
D.在崩溃区域
回答:一种

3.二极管的雪崩发生在
答:潜在障碍
B.耗尽层
C.膝盖电压
d .击穿电压
回答:D.

4.硅二极管的潜在屏障是
答:0.3 V
B. 0.7 V.
c . 1 V
d . 5伏
回答:B.

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
A.相等
B.更高
c .低
D.取决于温度
回答:C

6.二极管是一个
A.双边设备
B.非线性设备
C.线性设备
D.单极设备
回答:C

7.二极管电流较大,条件
A.前方偏见
B.逆偏见
C.偏见不良
d .反向偏压
回答:一种

8.桥式整流器的输出电压信号是
A.半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
D.正弦波
回答:B.

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流是1A,那么最大直流负载电流是多少?
A. 1A
B. 2a.
C. 4a.
D. 8A.
回答:B.

10.电压倍增器生产
A.低电压、低电流
B.电压低,电流大
C.高电压和低电流
D.高电压和高电流
回答:C

11.什么是剪刀?
回答:去除波形的零件(正或负)的电路,使得它不超过一定电压电平。

12.什么是夹钳?
回答:一种将直流电压(正负)加到波上的电路。

13.齐纳二极管可以描述为
整流二极管。
B.具有恒定电压的装置。
C.具有恒定电流的装置。
D.在转发区域工作的设备。
回答:B.

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性,电压跨负载
A. 0.7 V.
B. 10 V.
C. 14 V.
d . 18 V
回答:一种

15.由于二极管允许仅在一个方向上流动,它们可以用于
答:限流
B.反向极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
回答:B.

16.当您使用万用表测试一个好二极管时,它会显示
A.正向偏置或反向偏置时的低阻
B.正向偏置或反向偏置时的高阻
C.当反向偏置时,在正向偏置和低阻时的高阻
正向偏置时电阻低,反向偏置时电阻高
回答:D.

17.电流何时在PN结中流动?
A.当p型和n型元素都处于相同的潜力时
当p型或n型元素都没有电位时
C.当p型元素处于比n型更积极的电位
D.当n型元素处于比n型更大的正电位时
回答:C

18.夹紧电路通常用于
A.电视变送器和接收器
B. FM发射器
C.信号发生器(方形,梯形等)
D.以上皆是
回答:D.

19.用于转向偏置和二极管的反向电流的测量单位
A. A. A
B. ma和μa
C.μA和mA
D. mA和mA
回答:B.

20.用于建模二极管特性的图形方法
A.指数方法
B.小信号近似
C.迭代方法
D.恒压降法
回答:一种

基本晶体管问题

1.晶体管中的PN连接数
答:一个
b两
C.三
d .四
回答:B.

2. NPN晶体管中碱的掺杂浓度是
A.轻微掺杂
B.适度掺杂
C.严重掺杂
d .不掺杂
回答:一种

3. NPN晶体管中的基极发射极二极管(基极发射极结)是
答:不进行
B.前瞻性偏见
c .反向偏置
D.在击穿区域操作
回答:B.

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较为
A.基础>收集器>发射器
B.发射极>集电极>基极
C.收集器>发射器>基地
D.所有人都平等
回答:C

5.基极-集电极二极管(基极集电极结)通常是
答:反向偏置
B.前瞻性偏见
c .击穿区域
D.没有传导
回答:一种

6.晶体管的直流电流增益是
A.发射极电流与收集器电流的比率
B.基极电流与发射极电流的比率
C.集电极电流与基极电流之比
基极电流与集电极电流之比
回答:C

7.如果基极电流为100μA,电流增益为100,则收集器电流为
A. 1A
10 b .
C. 1ma.
D. 10mA
回答:D.

8. NPN和PNP晶体管中的多数载波都是
A.孔和电子
B.电子和孔
C.受体离子和供体离子
D.没有
回答:B.

9.晶体管充当
a .电压源和电流源
电流源和电阻
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
回答:C

10.基本电流IB,发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系
A. IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
ie = ib - IC
D. IC = IB + IE
回答:一种

11.晶体管散发的总功率是集电器电流的产品
A.供电电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
D.基础 - 发射极电压
回答:C

12.共发射极配置的输入阻抗为
A.低
b高
C.零
D.非常高
回答:一种

13.公共发射器配置的输出阻抗是
A.低
B.非常低
C.高
D.零
回答:C

14.两种类型的双极结晶体管(bts)
A. nnn和ppp
B. NPN和PNP
C. pnn和npp
D. NNP和PPN
回答:B.

15. BJT中的常见错误是什么?
A.内部短片
B.打开偏置电阻
C.外部开放和
D. NNP和PPN
回答:B.

16.数字电路中晶体管的一般工作区域是
A.活动区域
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
回答:D.

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基放大器
B.共发射极放大器
C.普通电集电极放大器
D. Darlington对
回答:C

18. BJT是_________,一个FET是________
A.双极和单极
B. Bipolar和Bipolar
C.单极和单极
D.单极和双极
回答:一种

19.公碱结构(α)的电流增益为
A.基电流与发射极电流的比率(IB / IE)
B.集电器电流与发射极电流的比率(IC / IE)
C.集电器电流与基极电流的比率(IC / IB)
D.没有
回答:B.

20.α和ß之间的关​​系是
A.α=β/(ß+ 1)
B.β=α/(1 - α)
C.α=ß*(ß+ 1)
D.α=ß/(ß - 1)
回答:a和b都是